output characteristics transistor

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output characteristics transistor

Beitragvon Gunter » 07.12.2016, 19:08

Hallo,

ich möchte mir die output characteristics eines Transistors in Mathcad zeichnen lassen. Mit welchen Formeln berechnen Multisim oder PSpice diese Kurven?
Vielleicht hat ja auch jemand die Formeln dafür so parat?

Gruß Gunter
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Re: output characteristics transistor

Beitragvon alterhase » 07.12.2016, 20:22

Die Entfernung zwischen Scheibbs und Nebraska kann man sicherlich berechnen, aber die tatsächliche Reiseroute wird davon abweichen.

Wozu auch immer:
http://www.aeng.com/pdf/RGVmaW5pdGl2ZSBIYW5kYm9vayBvZiBUcmFuc2lzdG9yIE1vZGVsaW5n.pdf
hier sollte was zu finden sein. :)

...spätestens in den Literaturverweisen. 8)


Messen willst ja nicht oder? mit sowas...oder für den, mehrere Zehnerpotenzen kleineren Geldbeutel, Dasda *kannichempfehlen* :) . ...oder "zu Fuß" mit einigen Multimetern. was zweifellos besser im Gedächnis haften bleibt. 8)
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Re: output characteristics transistor

Beitragvon Gunter » 08.12.2016, 19:14

Hallo alterhase,

vielen Dank für Deine schnelle Antwort.

So eine Weltreise würde ich schon gerne machen, auch mit Umwegen...

In Deiner Literatur bin ich nicht fündig geworden - oder zu blöd zu lesen. Die arbeiten bei den output characteristics mit einem Kurven-Tracer. Formeln, wonach das Ding die Kurven berechnet, sind dafür aber nicht angegeben (oder nur ganz oberflächlich).
Für die angegebenen Spice-Modelle sind auch nur die allgemeinen Größen (IS, UAF etc.) angegeben. Ich dachte eher an so was (siehe Anhang). Bei dieser Formel habe ich das Problem eine Abhängigkeit zu IB zu finden.

Nein, ich will nicht messen. Ich möchte mir die Kurven einfach nur mit Mathcad zeichnen lassen. Ist so eine blöde Idee von mir. Der weitere Verwendungszweck ist dann offen.
Messen kann man die Kurven ja ganz traditionell mit zwei DMM und der entsprechenden Messschaltung. Früher hat man ja hunderte von Messreihen aufgenommen um daraus die entsprechenden Werte zu ermitteln. Heute berechnet man eben diese Kurven aus den damals gefundenen Werten.
Kommt Zeit kommt Rat - vielleicht finde ich ja noch irgendwo eine Anleitung oder Formel.

Gruß Gunter
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Re: output characteristics transistor

Beitragvon alterhase » 09.12.2016, 16:36

...Bei dieser Formel habe ich das Problem eine Abhängigkeit zu IB zu finden. ...


Vielleicht hilfts dir weiter:
Diodenstrom.PNG
Diodenstrom.PNG (4.31 KiB) 2494-mal betrachtet

Im ersten Teil der Formel wird aus der BE Spannung der Basisstrom errechnet. UT ist die Temperaturspannung IS der Sättigungssperrstrom. Der zweite Teil dürfte ein Korrekturwert sein. ...ich kann und will mich da garnicht weiter vertiefen.

Quelle: Halbleiter Schaltungstechnik Tietze & Schenk 13. Auflage Seite 5 f.f.

siehe auch: klickmich

Du weißt, wie ich zu "Zahlengläubigkeit und Formelanbetung" stehe. :wink:
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Re: output characteristics transistor

Beitragvon Gunter » 14.12.2016, 19:09

Hallo alterhase,

nochmals vielen Dank für Deine Bemühungen.

Anbei meine letzten Berechnungen (siehe Anhang).

Vielleicht setze ich mich ja noch irgend wann mal hin und verbessere die Gleichung - im Moment ist mir das zuviel Aufwand für eine Nebensächlichkeit. Man kann ja auch mit den Diagrammen aus den Arbeitsblättern arbeiten - wenn sie denn beigefügt sind.

Gruß Gunter
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Re: output characteristics transistor

Beitragvon alterhase » 16.12.2016, 16:39

...Man kann ja auch mit den Diagrammen aus den Arbeitsblättern arbeiten - wenn sie denn beigefügt sind...
...diese Diagramme sind aber auch nur beispielhaft.


So ein Transistor ist nämlich ein ziemliches Individuum. ...Exemplarstreuung.
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